速度比较eeprom-flash-sram

Question

目前正在为atmel tiny45微控制器编码，我使用了几个查找表。存放它们的最佳位置在哪里？你能给我一个关于sram-flash-eeprom之间内存速度差异的一般概念吗？

Answer 1

EEPROM是迄今为止最慢的替代方案，写入访问时间为10ms。读取访问速度与FLASH访问速度一样快，加上地址设置和触发的开销。由于EEPROM的地址寄存器中没有自动递增，每个字节读取至少需要四条指令。

SRAM访问速度最快（直接寄存器访问除外）。

FLASH比SRAM慢一点，并且在每种情况下都需要间接寻址（Z指针），这可能是也可能不需要SRAM访问，具体取决于表的结构和访问模式。

有关说明的执行时间，请参阅AVR Instruction Set，尤其是LPM与LDS，LD和LDD说明。