我正在现有的主板上开发一个应用程序。 该应用程序需要频繁的数据（仅10个字节）存储， 所以我想将外部闪存仿真作为EEPROM 因为我的电路板没有EEPROM。我们有外部spi flash与我们在一起。 任何人都可以帮助我进行这种模拟，或者请建议我 其他方法可以完全满足我的申请要求。
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有许多库可以做你想要的。几年前，我使用了他们为并行闪存芯片提供的英特尔库。
他们使用的技术是使用额外的字节来指定闪存中的哪个值有效，以及它占用的值的字节数。例如，第一次写入值时，有效标志为高。当重写时，旧数据的有效标志被设置为低，新值和标志/字节计数数据在旧值之后立即写入闪存。读取值时，从第一个位置开始，如果有效标志为低，则使用计数移动到存储较新值的位置，依此类推，直到找到有效标志为高的值。 / p>
当以这种方式使用整个扇区时，您需要读取当前值，擦除扇区，并在开始时重新写入当前值。
这种技术有效，因为闪存位可以从高变低，但不会从低变高到高而不擦除。
这个解释有点简化，我相信网上会有一个教程。