保留EEPROM仿真STM32F4的闪存位置

Question

我想在扇区2和3中模拟EEPROM以保持较低的擦除时间（小的16kb扇区）。 我的问题是如何保留这个闪存空间以防止编译器在这些扇区中放置程序代码？

有人能指出我这方面的信息我到目前为止还没找到任何有意义的东西吗？

由于

Answer 1

从应用笔记AN3969，最好的方法是，正如你所说的那样是使用扇区0-3，因为它们只有16kB。

  

我的问题是如何保留此闪存空间以防止编译器在这些扇区中放置程序代码？

在链接器文件（* .ld）中，将Flash的开头声明为扇区4的开头，以便链接器将代码放在该地址的开头，例如。