Question

我在UART外围设备上有几个OVERRUN错误，因为在我的代码处于停顿状态时，我一直在接收UART数据，因为我正在闪存上执行写操作。

我正在使用UART中断，并在应用笔记AN3969中对此进行了说明：

  EEPROM仿真固件从内部闪存运行，因此可以访问   需要擦除闪存或   编程（EEPROM初始化，变量更新或页面擦除）。如   结果，应用程序代码未执行且中断   无法投放。

对于许多应用程序，此行为可能是可接受的，但是对于   实时约束的应用程序，您需要运行关键   内部RAM进行处理。

在这种情况下：


将向量表放置在内部RAM中。

从内部RAM执行所有关键过程并中断服务例程。编译器提供了一个关键字来声明函数   作为RAM功能；该功能从Flash复制到RAM   系统启动就像任何初始化变量一样。重要的是要   请注意，对于RAM函数，所有使用的变量和   函数应该在RAM中。

因此，我在互联网上进行搜索，发现AN4808提供了有关如何在闪存操作时保持中断继续运行的示例。

我继续修改了我的代码：

链接器脚本：向SRAM添加了向量表并定义了.ramfunc节

/* stm32f417.dld */
ENTRY(Reset_Handler)

MEMORY
{
    ccmram(xrw)       : ORIGIN = 0x10000000, LENGTH = 64k
    sram              : ORIGIN = 0x20000000, LENGTH = 112k
    eeprom_default    : ORIGIN = 0x08004008, LENGTH = 16376
    eeprom_s1         : ORIGIN = 0x08008000, LENGTH = 16k
    eeprom_s2         : ORIGIN = 0x0800C000, LENGTH = 16k
    flash_unused      : ORIGIN = 0x08010000, LENGTH = 64k
    flash             : ORIGIN = 0x08020000, LENGTH = 896k
}

_end_stack = 0x2001BFF0;

SECTIONS 
{
  . = ORIGIN(eeprom_default);
  .eeprom_data :
  {
    *(.eeprom_data)
  } >eeprom_default

  . = ORIGIN(flash);

  .vectors :
    {
        _load_vector = LOADADDR(.vectors);
        _start_vector = .;
        *(.vectors)
        _end_vector = .;
    } >sram AT >flash

    .text :
    {
        *(.text)
        *(.rodata)
        *(.rodata*)
        _end_text = .;
    } >flash

    .data : 
    {
        _load_data = LOADADDR(.data);
        . = ALIGN(4);
        _start_data = .;
        *(.data)
    } >sram AT >flash


    .ramfunc :
    {
        . = ALIGN(4);
        *(.ramfunc)
        *(.ramfunc.*)
        . = ALIGN(4);
        _end_data = .;
    } >sram AT >flash

    .ccmram :
    {
        _load_ccmram = LOADADDR(.ccmram);
        . = ALIGN(4);
        _start_ccmram = .;
        *(.ccmram)
        *(.ccmram*)
        . = ALIGN(4);
        _end_ccmram = .;
    } > ccmram AT >flash

    .bss :
    {
        _start_bss = .;
        *(.bss)
        _end_bss = .;
    } >sram

    . = ALIGN(4);

    _start_stack = .;


}

_end = .;
PROVIDE(end = .);

重置处理程序：添加了向量表副本SRAM并定义了.ramfunc节

void Reset_Handler(void)
{
  unsigned int *src, *dst;

  /* Copy vector table from flash to RAM */
  src = &_load_vector;
  dst = &_start_vector;
  while (dst < &_end_vector)
    *dst++ = *src++;

  /* Copy data section from flash to RAM */
  src = &_load_data;
  dst = &_start_data;
  while (dst < &_end_data)
    *dst++ = *src++;

  /* Copy data section from flash to CCRAM */
  src = &_load_ccmram;
  dst = &_start_ccmram;
  while (dst < &_end_ccmram)
    *dst++ = *src++;

  /* Clear the bss section */
  dst = &_start_bss;
  while (dst < &_end_bss)
    *dst++ = 0;

  SystemInit();
  SystemCoreClockUpdate();

  RCC->AHB1ENR = 0xFFFFFFFF;
  RCC->AHB2ENR = 0xFFFFFFFF;
  RCC->AHB3ENR = 0xFFFFFFFF;
  RCC->APB1ENR = 0xFFFFFFFF;
  RCC->APB2ENR = 0xFFFFFFFF;
  RCC->AHB1ENR |= RCC_AHB1ENR_GPIOAEN;
  RCC->AHB1ENR |= RCC_AHB1ENR_GPIOBEN;
  RCC->AHB1ENR |= RCC_AHB1ENR_GPIOCEN;
  RCC->AHB1ENR |= RCC_AHB1ENR_GPIODEN;
  RCC->AHB1ENR |= RCC_AHB1ENR_GPIOEEN;
  RCC->AHB1ENR |= RCC_AHB1ENR_GPIOFEN;
  RCC->AHB1ENR |= RCC_AHB1ENR_GPIOGEN;
  RCC->AHB1ENR |= RCC_AHB1ENR_GPIOHEN;
  RCC->AHB1ENR |= RCC_AHB1ENR_GPIOIEN;
  RCC->AHB1ENR |= RCC_AHB1ENR_CCMDATARAMEN;

  main();

  while(1);
}

system_stm32f4xxx.c： 未注释的VECT_TAB_SRAM定义

/*!< Uncomment the following line if you need to relocate your vector Table in
     Internal SRAM. */
#define VECT_TAB_SRAM
#define VECT_TAB_OFFSET  0x00 /*!< Vector Table base offset field. 
                                   This value must be a multiple of 0x200. */

添加了RAMFUNC的定义来设置节属性：

#define RAMFUNC __attribute__ ((section (".ramfunc")))

在与UART相关的功能和原型之前添加了RAMFUNC，因此可以从RAM中运行它。

RAMFUNC void USART1_IRQHandler(void)
{
  uint32_t sr = USART1->SR;
  USART1->SR & USART_SR_ORE ? GPIO_SET(LED_ERROR_PORT, LED_ERROR_PIN_bp):GPIO_CLR(LED_ERROR_PORT, LED_ERROR_PIN_bp);
  if(sr & USART_SR_TXE)
  {

    if(uart_1_send_write_pos != uart_1_send_read_pos)
    {
      USART1->DR = uart_1_send_buffer[uart_1_send_read_pos];
      uart_1_send_read_pos = (uart_1_send_read_pos + 1) % USART_1_SEND_BUF_SIZE;
    }
    else
    {
      USART1->CR1 &= ~USART_CR1_TXEIE;
    }
  }

  if(sr & (USART_SR_RXNE | USART_SR_ORE)) 
  {
    USART1->SR &= ~(USART_SR_RXNE | USART_SR_ORE);
    uint8_t byte = USART1->DR;
    uart_1_recv_buffer[uart_1_recv_write_pos] = byte;
    uart_1_recv_write_pos = (uart_1_recv_write_pos + 1) % USART_1_RECV_BUF_SIZE;
  }
}

我的目标可以在RAM中使用向量表和UART函数正常运行，但是我仍然在USART上超限。在执行闪存写操作时，我也不会禁用中断。

我还尝试从CCM RAM而不是SRAM运行代码，但是我发现在this post上的代码无法在STMF32F4XX的CCM RAM上执行...

有什么主意吗？谢谢。

Answer 1

任何在进行写操作时尝试从闪存中读取都会导致总线停止运行。

为了不被闪存写入所阻止，我认为不仅中断代码，而且中断功能也必须从RAM运行，否则内核将无法进入可能发生中断的状态。

尝试将闪存处理代码重新定位到RAM。

如果可能的话，我建议您切换到具有两个独立的闪存组的MCU，例如与引脚和软件兼容的427/429/437/439系列。您可以将一个存储区专用于编程代码，将另一个存储区专用于类似EEPROM的数据存储，然后写入第二个存储区不会干扰从第一个存储区运行的代码。

在不中断UART的情况下写入非易失性存储器会中断STM32F4XX的执行

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