我目前正在使用嵌入了Atmel SAM3X8E处理器的Arduino Due板。我正在使用Atmel Studio（版本7.0.1645）和提供的Atmel软件框架（版本3.28.1）对其进行编程。 在SAM上运行的程序的目的是获得重新编程功能。因此，程序从主机PC获取图像，在未使用的闪存库中逐块闪烁并验证图像。一切正常，但我遇到了与这篇文章（Atmel SAM3X dual bank switching not working）相同的问题。
Atmel SAM3X8E有两个256 KB闪存库，Flash0和Flash1。我的应用程序很容易适合Flash0，并将接收到的图像编程到Flash1。我的想法是使用SAM3X的功能从另一个闪存库启动（默认为Flash0）。 SAM3X的数据表在第35页说明，GPNVM位不仅可用于选择引导存储器（ROM或闪存），还可用于选择要从（Flash0或Flash1）引导的存储区。如果设置了GPNVM2，μC将从Flash1启动。这是通过重新映射存储器布局来实现的。因此，如果设置了GPNVM2，则Flash1映射到地址0x0008_0000（而Flash1和Flash0是连续的）。如果GPNVM2被清除，则Flash0映射到地址0x0008_0000（现在Flash0和Flash1是连续的）。
我所做的是在重置处理器之前操作GPNVM2位，但它不起作用（内存未正确重映射）。 我也在玩Atmel Studio的选项。 Atmel Studio可以使用“项目选项” - ＆gt;将应用程序编程到Bank0或Bank1。 “工具” - ＆gt; “程序设置”。我尝试使用这些设置将我的应用程序编程到Bank1。只有选中“覆盖矢量表偏移寄存器（exception_table）”复选框并且使用“启动调试”对器件进行编程时，才有可能。如果设备使用“无需调试启动”进行编程，则根本无法启动，以使其启动（请记住应用程序闪存到Bank1，如果重映射成功，则Bank1应位于地址0x0008_0000，其中Bank0最初映射到我必须手动更改GPNVM位（使用“工具” - >“设备编程”工具）来“从bank0启动”。然后它奏效了。
所描述的行为告诉我，我一定错过了操纵一些寄存器。显然，“覆盖向量表偏移寄存器（exception_table）”非常重要，因此我还将“向量偏移表寄存器（VTOR）”设置为Flash1的起始地址，这也没有任何帮助。我感觉我缺少一些函数或注册我必须调用/操作。
要重新编程处理器，通常需要运行某种引导程序，我希望避免使用银行交换机制。有没有人对使用ASF功能的银行转换有任何经验，或者一般有关SAM3X银行转换的经验？
提前谢谢！