闪存(NOR / NAND)上的哪些操作会影响闪存编程/擦除(P / E)周期

时间:2016-05-31 06:16:31

标签: flash-memory

想要实现一个可以通过电源循环来节省值的计数器,所以我应该使用闪存(我可以选择NOR或NAND)但是我的计数器值会频繁增加。我想优化擦除次数(仅考虑擦除,即使0到1位会影响闪存寿命)。

为此我想要实现滴答计数器在每个增量连续位分配给计数器的字节序列(大约KBytes,取决于我的计数器最大值,通常等于块大小)将从1开始设置为0到0 MSB。我会编写自定义闪存驱动程序来处理计数器操作。

例如:

Val0:1111 1111 1111 1111 .... Val1:0111 1111 1111 1111 .... Val2:0011 1111 1111 1111 .... 优势滴答计数器:

只有当我们想要将计数器设为零时才需要擦除。

但是可以在没有擦除(NAND / NOR)的情况下从1编程到0,如果是,那会影响P / E周期吗?

1 个答案:

答案 0 :(得分:0)

这取决于部分。我已经看到一些NOR闪存部件支持在擦除之前覆盖单个单元四次。超过覆盖能力可能会损坏电池。我见过NAND闪存部件,制造商要求在擦除之前只写一次页面。我已经看到一些较旧的NAND和NOR闪存部件没有指定。最好检查一下你的数据表。