我正在研究有关闪存（Nand）的可靠性问题。我们知道如果块被损坏，它会调用＆＃34;坏块＆＃34;。但是我有一些令我困惑的问题。期待你的帮助。
这是我的问题：
1.我们还可以将该单元称为＆＃34;坏细胞＆＃34;其中包括那些坏块？
2.坏块和坏块（或损坏的细胞）之间有什么区别？
3.编程/读取或编程/写入时是否可能出现坏块？ （因为只要我知道就会经常擦除块）
提前谢谢。
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在闪存中，单元是最小存储单元，通常对应于单个浮栅晶体管。
自然地，坏单元是无效存储单元。
该术语显然是有效的，至少在本文中使用：Flash Memory Technology
有时音频闪光设备可能包含一些坏信号。
在 NAND 闪存中，单元被组织成页面而非字节，以实现更好的空间密度。
块是一组可以一起删除的页面;因此，块只是单元的数组，而坏块是一个包含至少一个坏单元的块 >
关于第三点，老实说，我无法确定
阅读，只是一种感觉，不应该真的能够破坏细胞
擦除，当然可以。
根据维基百科的说法，可以使用Hot Carrier Injection进行编程，这可能会造成物理伤害。