有人可以向我解释一下内存控制器的数据加扰吗？根据维基百科，它以某种方式用随机模式掩盖用户数据，以防止DRAM的逆向工程。但是，它也用于发现电气问题。有人可以详细说明数据加扰的这些功能吗？谢谢！
答案 0 :(得分：3)
维基百科的文章声称：
内存控制器也集成到某些Intel Core处理器中 提供内存加扰作为将用户数据写入的功能 将主存储器转换为伪随机模式。[6] [7]就这样，记忆 加扰可以防止基于的取证和逆向工程分析 DRAM数据剩磁，通过有效地渲染各种类型的冷 引导攻击无效。但是，此功能已设计为 解决与DRAM相关的电气问题，而不是防止安全 问题，因此可能没有严格的加密安全性。[8]
但是，我认为这种说法有些误导，因为它意味着数据加扰的目的是防止逆向工程。事实上引用的来源（在引文中列为[6] [7]）说明如下：
内存控制器采用DDR3数据加扰功能 最小化过度di / dt对平台DDR3 VR的影响 数据总线上连续的1和0。过去的经验已经证明 数据总线上的流量不是随机的，可以有能量 集中在特定的光谱谐波，产生高di / dt 通常受限于激发共振的数据模式的限制 封装电感和片上电容。结果， 内存控制器使用数据加扰功能来创建 DDR3数据总线上的伪随机模式减少了影响 任何过度的di / dt。
基本上，加扰的目的是限制DRAM数据总线上使用的电流消耗的波动。引用来源中没有任何内容可以支持它旨在防止逆向工程的说法，尽管我认为可以合理地假设它可能使逆向工程更加困难。我不是这方面的专家，所以我不确定。
我已编辑维基百科文章，以删除不正当来源的声明。虽然我想有人可以把它添加回来，但如果是这样，希望他们可以提供更好的采购。
答案 1 :(得分：1)
它不是DRAM的逆向工程，它是DRAM中数据的逆向工程，旨在防止加密（例如像冷启动攻击这样的取证） ，根据那篇文章。
电气特性使我想起了Row Hammer。加扰可能会让事情变得更难，但是如果这就是IDK的那个作者想到的那样。