在STM32F103上，闪存页面的擦除需要20ms，在此期间核心会停滞不前。从ST PM00042闪存编程手册中可以看出，当擦除闪存页时，核心是否总是总是失速，或者它是否因为指令流本身位于闪存（在我的项目中）和FPEC中而停止（闪存接口）忙，无法获取更多指令。
提出这个问题的另一种方法是“从RAM运行我的flash编程代码，避免闪存页面擦除失速？”。
谢谢，
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我相信在闪存编程期间，任何尝试访问闪存都会使CPU停止运行。
所以你要做的是确保在程序运行期间关键代码（可能是中断处理程序，看门狗踢球者等）可以用完RAM。我最后一次使用STM32（可能大约2年前），这正是我所做的。
所以，要明确一点，在帖子的最后回答问题：
提出这个问题的另一种方法是 “会运行我的flash编程 来自RAM的代码避免了闪存页面 擦掉摊位？“。
我相信答案是“不”。闪存编程驱动程序所在的位置并不重要，重要的是您的代码在擦除/编程操作正在进行时 。如果CPU在操作期间尝试访问闪存，甚至读取程序指令或读取常量表，我相信它会停止。
我知道这是NXP闪存在他们的ARM uCs上运行的一个事实，但我想引用章节＆amp;对于STM32也是如此。出于某种原因，Flash编程手册目前似乎无法使用，但我在类似的文档中找到了以下语言（PM0068，我相信）：
只要CPU不访问闪存，正在进行的闪存操作不会阻止CPU。
和
如果在编程期间启动了对闪存的读/写操作（BSY位置1），则CPU将停止工作，直到正在进行的主闪存编程结束。