我正在编写一个Android应用程序，它会在一秒钟内将数据写入文件几次，整个文件大小约为1MB，此文件将被删除并启动新文件。我是否应该担心电话的闪存耗尽，导致其失败？你知道Android是否将写入分配到不同的扇区以最小化闪存降级，即使应用程序写入连续文件？ 日志系统是否以类似的方式工作？换句话说，如果我记录很多（每秒几条记录），会影响手机的闪存资源吗？
答案 0 :(得分：6)
担心这一点不会有什么害处，但除了闪存写入周期之外，我还会修改应用程序逻辑 - 1MB并不是那么多，因此在内存中缓冲数据并定期将其刷新到文件（但不那么频繁）应加速你的应用程序（因为我认为你的写作是同步的）。
修改
Wiki got some figures供考虑：
写耐力
SLC浮栅NOR闪存的写入耐久性通常相等 或者比NAND闪存更大，而MLC NOR和NAND闪存 具有相似的耐力能力。示例耐久性循环评级 列出了NAND和NOR闪存的数据表。
- SLC NAND闪存通常额定为约100k周期（Samsung OneNAND KFW4G16Q2M）
- MLC NAND闪存的额定值约为5k - 10k周期（三星K9G8G08U0M），但现在通常为1k - 3k周期
- TLC NAND闪存通常额定为约1k周期（Samsung 840）
- SLC浮栅NOR闪存的典型耐久等级为100k至1M周期（Numonyx M58BW 100k; Spansion S29CD016J 1,000k） MLC浮栅NOR闪存具有100k周期的典型耐久性等级（Numonyx J3闪存）
答案 1 :(得分：2)
这取决于内存类型和文件系统。与NOR存储器相比，NAND闪存提供更多的写周期。此外，诸如JFFS2之类的文件系统提供了耗损均衡算法来分配数据并避免块损坏。
NAND和NOR闪存技术的比较： https://focus.ti.com/pdfs/omap/diskonchipvsnor.pdf