我正在尝试为一种考虑通道冲突的体系结构设计一个周期级模拟器。
我想知道（物理）内存地址如何映射到通道。
我感兴趣的特定内存是DDR3 DRAM，但是我对任何内存都不了解。
我想到的一种简单算法是检查内存地址的某些位，以选择包含该地址数据的通道。例如，如果我有一个1字节的地址空间，并且有4个通道（通道0-3），则说我选择了地址开头的两位（MSB，后一位），因此{{1} }映射到通道0，00映射到通道1，依此类推。
因此，在这种情况下，01将在频道1中，因为它以01001110开头。
但这只是我脑海中的一个例子，我似乎找不到任何与此问题相关的文档。谁能指出我可以阅读的文档？而且，比“关于通道的DRAM的内存访问算法”更好的说法是这样的。
谢谢！