STM32H7上的LDR指令的持续时间取决于存储器

Question

我正在STM32H753I-EVAL2板上对STM32H7进行一些评估。我使用STMicro示例代码在内存映射模式下配置，写入和读取QSPI Flash。

我对LDR指令持续时间的一些数字感到惊讶：

• 我使用SysTick（连接到CPU时钟）测量指令的周期数。据我了解：SysTick的一个周期= CPU的一个周期。

• 我测量了两条完全相同的ldrb.w Rn, [Rp, Rq]指令，除了Rp在一种情况下是DTC-RAM中的地址，在另一种情况下是地址 在QSPI Flash中。

结果是（从内部闪存执行的代码）：DCTM-RAM需要15个周期，QSPI需要12个周期。

我对结果感到惊讶，我想如果QSPI内容被缓存了，那么它可以解释这些数字吗？

我还发现一条LDR指令的15个周期似乎很多，您怎么看？我的程序有问题吗？

Answer 1

如果未缓存内部闪存，或者缓存无效，或者流水线被刷新或...（还有许多其他），则可能比QSPI闪存定位的指令花费更多的时间。

要测量执行时间，您需要特殊的寄存器。