是否可以在Atmega 328p（内部RAM为2KB）上使用最小扇区擦除大小为4KB的SPI闪存芯片？
我看到的问题：为了将数据写入闪存，必须擦除页面。如果要更新扇区内的数据，则首先需要读取扇区内的所有页面，将其保存在芯片外，擦除扇区，然后按顺序将页面写回更改。
但是4KB的扇区无法保存在2KB RAM中，那么其他人在这种情况下使用什么解决方案？因为我已经看到在此设置中使用了Arduino，但无法确定其解决方案。
（Arduino只是这个问题中小型微控制器的一个示例）
答案 0 :(得分：2)
您可以简单地使用双冗余页面方案。给定这样组织的两个 4kb页面：
Page A Page B
+------------+ +------------+
| Sequence A | | Sequence B |
!~sequence A | !~sequence B |
+------------+ +------------+
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| Data A | | Data B |
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+------------+ +------------+
最初，您编写Data A并将Sequence A设置为其反~Sequence A为零。在启动时，您检查每个页面的序列号，并将具有最高有效序列号的页面（当'sequence ^〜sequnece == 0xff时有效）设置为 Current Read Page ，另一个设置为当前写页面。
更新数据时，擦除当前写入页面，写入 data 区域，然后将序列号设置为读取页面的序列号加1。 （取模256），并设置其倒数。然后交换当前的读/写页面。更新时，您可以将数据从一个页面复制到另一页面，而不用缓冲整个页面，并且仅修改要更改的部分。
如果在写入过程中出现电源故障或复位，则页面序列号将无效，因为它是最后写入的，并且序列和反向序列写入都必须完成，因此部分写入的数据将无效，并且上一个有效页面将在启动时被选择。
选择当前活动页面时，您当然必须处理环绕式操作（即，当序号为255并且为零时，零为更新的值）。
此方案适用于经常读取和很少写入的数据。 NV读/写周期的性质和频率将决定一种合适的机制，因为不同的解决方案适用于顺序记录或非易失性事件计数器。
答案 1 :(得分：0)
还不清楚，您希望编写什么内容（大小）以及执行频率。
您可能会想到几个较小的NV块，它们远小于页面大小。每个NV块都有一些用于标识该块的块头（例如BlockID + Size）。然后，只要新的NV块适合该页面，您就可以更新该页面。如果不是，请将其写入下一页，并将所有最新的其他块也复制到新页面上。然后，您可以擦除旧页面，同时准备下一次交换。