我将Micron SDRAM“ MT48LC8M16A2P”与Cirrus Logic EP9307微处理器一起使用。 我也在系统上使用RTOS。 将SDRAM刷新速率在处理器寄存器中设置为“ 5us”，而不是数据表中指定的15.625 us。 我没有低功耗模式，因此没有自刷新命令发送到SDRAM。
观察： ->开始多任务处理时，我可以观察到SDRAM单元随机部分的位腐烂。运行约10分钟后，我无处不在进行数据中断。 ->我可以观察到数据存储器的已知部分正在更改。 ->通过添加刷新循环任务可以避免此问题，该任务涉及每个SDRAM行，因此会生成显式刷新。 ->但是，只要连接仿真器调试代码，我仍然可以观察到存储单元中的位腐烂。 ->对SDRAM的正常读写操作没有问题。
问题： ->只是想消除我的怀疑，如果这可能是个新问题，或者有人遇到过类似的情况？ ->我只对EP9307微处理器的内部SDRAM控制器进行了一次配置。是否有任何需要在运行时更新的配置？
谢谢。
-Gaurav