Question

我尝试将值写入闪存，最初我将0x0000写入我在代码中提到的位置，但是之后我无法覆盖或擦除该位置的数据。所以我第一次成功写入Flash，但之后我无法在该位置写入/擦除数据。可能会出现什么问题？我也固定了内存堆栈映像。

  uint32_t pageAddress = 0x08008000;
  uint16_t buffer = 0xdddd;          // data buffer
  HAL_HAL_StatusTypeDef  status;

  while(1)
  { 
     HAL_FLASH_Unlock();              // unlock the flash memory in ST
     //FLASH_PageErase(pageAddress); 
     status=HAL_FLASH_Program(FLASH_TYPEPROGRAM_HALFWORD, pageAddress, 
     buffer);
     HAL_FLASH_Lock();                // Flash memory locked
  }

Memory stack -Debug

Answer 1

我找到了问题的答案，问题是Flash可以处理2个值＆＃34; 0000＆＃34;或＆＃34; FFFF＆＃34;因此，只有当该位置的值为＆＃34; FF＆＃34;时，用户才能写入该位置。如果它的＆＃34; 00＆＃34;除非该位置被删除，否则用户将无法写入。在我的情况下，我写了＆＃34; 00＆＃34;到那个位置，所以我无法再次使用不同的值写入该位置。

之前的评论有人告诉我，闪存可以处理1000次写入/擦除循环。这样就可以更好地利用整个扇区（1 kB）进行一次写入，如果1 kB结束则擦除。通过这样做，STM32可以处理更多Flash操作

怎么写＆amp;在STM32F030系列中连续擦除片上闪存？

1 个答案: