闪存本身可以大量读/写吗？

Question

在STM32 / ESP / ARM等嵌入式微控制器上，外部闪存的I / O高时会出现质量下降的问题吗？

我在谈论着名的4Mb / 8Mb / 16Mb QSPI闪存，其中代码也存在。

假设每30秒我会写一个int例如我一整天都这样做，闪光灯迟早会死吗？

在这种情况下，什么是能够承受高IO的嵌入式系统的最佳硬件？解决方法有哪些？

Answer 1

是的，正如评论者评论的那样，它最终会失败。在数据表中查看通常称为“耐久性”的规范。常见的片上NAND闪存耐久性限制范围从10,000次写入到100,000次写入，有时甚至更高，但唯一重要的数字是您特定部分数据表中的数字。一旦你知道了耐久性，就可以提出一种设计，根据写入大小，频率，可能的压缩，RAM缓存等来预测合理的生命周期。

Answer 2

  

假设每30秒我会写一个int，例如我这样做＆gt;一整天，闪光灯迟早会死吗？

查看数据表中的写周期数，并进行数学计算。让我们说你的部分可以忍受1000000个写周期，然后每隔30秒做一次写操作将在3000万秒内开始磨损。一年大约是3150万秒......

  

在这种情况下，什么是能够承受高IO的嵌入式系统的最佳硬件？

有些FRAM (Ferroelectric RAM)可以支持最多10个 ¹² 读/写周期。即使您每秒都访问它，它将持续31689年。请注意，读取也很重要，但除非您的设备断电并且必须每秒启动，否则这不会成为问题。

  

有哪些解决方法？

磨损均衡，这是SD卡和SSD驱动器中的控制器所做的事情。但是你需要一个不成比例的大闪光才能为一些计数器做到这一点。

某些微控制器具有少量备用RAM，可通过单独的V _bat 引脚通过电池或超级电容供电。不要忘记每隔几年换一次电池。对于电池和插座的价格，您可以获得FRAM。