我正在使用MAX10 FPGA并具有接口DDR3内存。我注意到我的DDR3内存与片上内存相比工作缓慢。我开始知道这一点，因为我写了一个闪烁的LED程序，并且与片上内存相同的延迟功能，与DDR3内存相比，它的工作速度更快。可以做些什么来提高速度？什么可能是错的？我的系统时钟运行在50MHz。 附：我的系统中没有指令或数据缓存。
答案 0 :(得分：1)
首先，你的功能不是管道功能作为你的描述。因为你做了一些内存然后闪烁的LED。每件事都按顺序运行。
在这种情况下，您应该估计响应时间和整个内存。例如，您从内存中读取数据然后执行添加功能，并执行此操作10次。如果您在添加功能后总是读取内存，你的总时间消耗约为10 *响应时间+10加功能时间。
不同之处在于内存响应时间。内部ram的响应时间在50MHz时可以是1个周期。但DDR3内存应该在80 ns左右。这就是区别。
但你可以将你的模块更改为管道模式。阅读/写入数据并将你的其他功能并行执行。然后使用r / w DDR.That就像PC中的缓存一样。这可以节省一些时间。
顺便说一下，DDR始终在很大程度上取决于你的功能模式。如果你在序列顺序地址读取或写入数据，那么你将获得更大的数据。
毕竟，外部存储器的整个过程和响应时间永远不会超过内部存储器。
原谅我的英语。