Synopsys ARC处理器中的内存紧密耦合

Question

我正在研究Synopsys ARC EM处理器（特别是EM4）。我发现了他们所谓的紧密耦合记忆（CCM）。

根据他们的文档，这个单周期访问RAM（容量高达2MB），用于存储指令和数据。在EM4中，使用CCM时没有高速缓冲存储器或暂存存储器。据我所知，这甚至不是一种紧耦合存储器（TCM）。

我想知道这个记忆是如何快速的，但直到现在我还没有成功。 （我猜想由于容量大而很难成为SRAM。）

Answer 1

你的问题似乎是StackOverflow的主题。

然而，＆＃34;紧密耦合的内存＆＃34;似乎（对我来说）是营销 - 代表片上记忆＆＃34;。 SRAM可以非常快 - 与DRAM不同，地址是多路复用的，需要多路复用，静态RAM从全地址总线解码，并且可以像硅中的逻辑门一样快地处理存储位置。 2MB完全适用于SRAM。 EM6有缓存 - 所以选择是由设计师决定是否支付（可能）更好的EM6性能，同时也不排除EM4瞄准的成本敏感型市场。术语＆＃34;紧密耦合的内存＆＃34;似乎基本上是片上存储器的另一个（市场营销）术语，用于区分基于总线的系统＆＃34;内存将在片外，减慢速度，增加电量，占用更多电路板空间等等。