在数据表上，它说，
内存架构
- 统一64 KB扇区
- 顶部或底部参数块（两个64 KB扇区（顶部或
）bottom）分解为16个4 KB的子扇区（
）- 256字节页面大小
...
擦除
- 批量删除功能
- 64 KB扇区的扇区擦除（SE）命令（D8h）
- 4 KB扇区的子扇区擦除（P4E）命令（20h）
- 8 KB扇区的子扇区擦除（P8E）命令（40h）
因此，它可以在1.芯片，2.64k扇区，3.8k扇区，4k扇区级别上执行擦除操作。
我的问题是，在两种情况下，从64kb扇区的角度来看，等效地消耗单个P / E周期？
64kb扇区擦除的单一命令。
使用4k扇区擦除命令（P4E）进行64kb扇区擦除的16条命令
否则，第二种方法消耗16倍的P / E周期？
我问这个是因为我想尽可能小地发出擦除命令，同时尽可能地最大化细胞耐力。