首先，对不起英语不好，因为我的英语技能不太好......
在提出问题之前，我想解释一下我的情况以帮助理解。
我想用EEPROM作为一种计数器。
该计数器的价值会非常频繁地增加，所以我应该考虑耐力问题。
我的想法是，在多个地址上写入计数器值，因此细胞磨损减少了N.
例如，如果我使用5x区域进行计数，
计数1 - ＆gt; 1 0 0 0 0
计数2 - ＆gt; 1 2 0 0 0
计数3 - ＆gt; 1 2 3 0 0
计数4 - ＆gt; 1 2 3 4 0
计数5 - ＆gt; 1 2 3 4 5
计数6 - ＆gt; 6 2 3 4 5
...
因此，细胞耐力可以延长N倍。
然而，AFAIK，对于当前的NAND闪存，数据擦除/写入是由一组称为块的字节完成的。因此，如果所有字节都在单个写入/擦除块内，我的方法将无效。
所以，我的主要问题是：PIC的EEPROM的擦除/写入操作是由一组字节完成的吗？或由单个字或字节完成？
例如，如果它是由一组8字节完成的，那么我应该在每个计数器值之间产生8字节的偏移量，以使我的方法正常工作。
否则，如果用字节或单词完成，我不必考虑间距/偏移。
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来自数据表PIC24FJ256GB110第5.0节：
用户可以用64条指令的块写入程序存储器数据 （192字节）一次，并以512的块擦除程序存储器 指令（1536字节）一次。
但是，如果您将剩余的块擦除（位为1）并且privius内容保持不变，则可以多次覆盖单个块。请记住：您只能在块中清除单个位。
在8次写入单个FLASH块后，我不知道多少会减少数据保留！我不知道！