stm32 flash半页写作

Question

当我在stm32微控制器上执行从闪存到闪存的半页写入时，我是否需要一个RAM缓冲区来保存这些读取值然后写入它们？我的意思是我有2个独立的闪存区域，我想将一些数据从第一个区域复制到第二个区域。我是否需要创建缓冲区并首先读取一个phalf页面然后写入它或者我可以同时进行吗？

编辑： 我想执行flash页面复制 - 将闪存中的一块内存复制到闪存中的不同地址

Answer 1

如果您需要将另一半数据保留在目标Flash页面中，那么在删除页面并复制源页面的一半之前，您需要先读取它们。然后你再次写回临时存储的数据 否则你只需擦除页面并写下源页面的一半即可 请注意，如果断电，您将丢失临时存储的数据。

Answer 2

答案是我需要先将数据处理到临时缓冲区，因为在写入闪存时，读取操作会停止，因此无法从不同的页面读取。