Question

正如标题所暗示的那样，我目前在我的程序中缺少SRAM，我找不到减少全局变量的方法。是否有可能将全局变量带入闪存？由于这些变量经常被读写，对于nand flash是否有害，因为它们的读/写周期有限？

如果闪光灯无法处理此问题，EEPROM会是一个不错的选择吗？

编辑：对不起那些含糊不清的人。我正在使用Atmel AVR ATmega32HVB，它具有： 2K字节的SRAM， 1K字节的EEPROM 32K字节的FLASH

编译器：AVR C / C ++

平台：IAR Embedded AVR

我想摆脱的全局变量是：

uint32_t capacityInCCAccumulated[TOTAL_CELL];

和

int32_t AccumulatedCCADCvalue[TOTAL_CELL];

代码段：

  int32_t AccumulatedCCADCvalue[TOTAL_CELL];
    void CCGASG_AccumulateCCADCMeasurements(int32_t ccadcMeasurement, uint16_t slowRCperiod)
{ 
    uint8_t cellIndex;
    // Sampling period dependant on configuration of CCADC sampling..
    int32_t temp = ccadcMeasurement * (int32_t)slowRCperiod;

    bool polChange = false;
    if(temp < 0) {
        temp = -temp;
        polChange = true;
    }

    // Add 0.5*divisor to get proper rounding
    temp += (1<<(CCGASG_ACC_SCALING-1));
    temp >>= CCGASG_ACC_SCALING;

    if(polChange) {
        temp = -temp;
    }
    for (cellIndex = 0; cellIndex < TOTAL_CELL; cellIndex++)
    {
        AccumulatedCCADCvalue[cellIndex] += temp;
    }

    // If it was a charge, update the charge cycle counter
    if(ccadcMeasurement <= 0) {
        // If it was a discharge, AccumulatedCADCvalue can be negative, and that
        // is "impossible", so set it to zero
        for (cellIndex = 0; cellIndex < TOTAL_CELL; cellIndex++)
        {
            if(AccumulatedCCADCvalue[cellIndex] < 0) 
            {
                AccumulatedCCADCvalue[cellIndex] = 0;
            }
        }
    }   
}

这个

uint32_t capacityInCCAccumulated[TOTAL_CELL];
void BATTPARAM_InitSramParameters() {
        uint8_t cellIndex;
        // Active current threshold in ticks
    battParams_sram.activeCurrentThresholdInTicks = (uint16_t) BATTCUR_mA2Ticks(battParams.activeCurrentThreshold);

        for (cellIndex = 0; cellIndex < TOTAL_CELL; cellIndex++) 
        {
    // Full charge capacity in CC accumulated
            battParams_sram.capacityInCCAccumulated[cellIndex] = (uint32_t) CCGASG_mAh2Acc(battParams.fullChargeCapacity);
    }
    // Terminate discharge limit in CC accumulated
    battParams_sram.terminateDischargeLimit = CCGASG_mAh2Acc(battParams.terminateDischargeLimit);

    // Values for remaining capacity calibration
    GASG_CalculateRemainingCapacityValues();
}

Answer 1

对nand flash来说会不好，因为它们的数量有限读/写周期？

是的，使用闪存来频繁修改数据并不是一个好主意。从闪存中只读不会缩短闪存的使用寿命。擦除和写入将缩短闪存寿命。

与传统存储器相比，从闪存读取和写入速度要慢得多。

要写入一个字节，必须擦除整个块并重新写入闪存。

Answer 2

任何类型的Flash都不适合用于频繁更改值：

有限数量的擦除/写入周期，请参见数据表。
非常慢的擦除/写入（擦除可以是~1s），参见数据表。
你需要一个特殊的序列来擦除然后写（没有语言支持）。
虽然最多阻止了对Flash的擦除或写入访问，但有些人根本不需要访问Flash（未定义的行为）。
无法按字节/字自由写入Flash单元。大多数必须每页写入（例如64字节）并在更大的单位（段/块/扇区）中擦除大多数时间。

对于NAND闪存，与NOR闪存相比，耐用性更低，并且单元不太可靠（位可能偶尔翻转或有缺陷），因此您必须添加错误检测和纠正。这很可能是你不应该去的方向。

真正的EEPROM共享大多数问题，但它们可能是字节/字逐句（内部擦除）。

请注意，现代MCU集成＆＃34; EEPROM＆＃34;大多数时候也是Flash。一些实现仅使用稍微更可靠的单元（比程序闪存大约十十倍的擦除/写入周期）和允许任意字节/字写入（自动擦除）的附加硬件。但这仍然不足以进行频繁的更改。

但是，您首先应验证您的应用程序是否可以容忍长时间的写入/擦除时间。你能接受阻止这么长时间的进程，还是重写你的程序？如果答案是＆＃34; no＆＃34;，你甚至应该停止对这个方向的进一步调查。否则，您应计算预期寿命期间的更新次数，并与数据表中的信息进行比较。还有一些方法可以减少擦除周期，但是引线太远了。

如果可以选择外部设备（I2C / SPI），则可以使用串行SRAM。虽然更好（也可能更便宜）的方法是更大的MCU，或者考虑将数据存储在SRAM中更有效（即更少RAM，更多代码）的方式。

C - 将全局变量存储在闪存中？

2 个答案: