使用CL_MEM_READ_WRITE和CL_MEM_READ标志创建内存的读取速度之间的差异

Question

在第一阶段的项目中，我生成一些顶点然后在第二阶段我读取这些顶点然后创建连接数组。对于我的顶点，我使用了CL_MEM_READ_WRITE。我想知道如果我在第一阶段使用CL_WRITE内存然后将其复制到第二阶段的另一个CL_READ内存中，我会有性能提升吗？因为可能每个人都有自己的优化来获得最大的性能。

Answer 1

CL_CREATEBUFER的第二个参数中传递的标志仅指定内核端如何访问内存空间。

Answer 2

可能不是。我希望缓冲区副本比任何优化都要昂贵得多。

另外，我查看了AMD APP OpenCL编程指南，在使用READ_ONLY或WRITE_ONLY缓冲区时，我没有找到任何关于优化的指示。

我的理解是访问标志仅供OpenCL运行时使用，以决定何时需要在不同的内存空间/区域之间复制缓冲区数据。