Question

我正在使用STM32F103开展项目，我已经完成了固件的开发。我使用ST-Link Utility将内容下载到微控制器。当我在芯片上激活读出保护时，它会停止工作。我需要保护我的固件。有什么问题？

Answer 1

接受答案的信息多了一点：

来自ST32F10XXX docs，＆＃34; 2.4.1阅读保护＆＃34; ：

通过设置RDP选项字节和来激活读保护   然后，通过应用系统复位来重新加载新的RDP选项字节。

注意：如果在调试器静止时设置了读保护   通过JTAG / SWD连接，应用POR（上电复位）而不是a   系统重置（无调试器连接）。

一旦保护字节   已被编程：


不允许进行主闪存读取访问   除了用户代码（从主闪存本身启动时）   调试模式未激活）。

第0-3页（低和 -   中等密度设备），或0-1页（高密度和高密度设备）   连接线设备）自动写保护。其余的部分   可以通过从main执行的代码对存储器进行编程   闪存（用于IAP，恒定存储等），但它受到保护   在调试模式下或何时反对写入/擦除（但不反对大量擦除）   从嵌入式SRAM启动。

所有功能都与将代码加载到嵌入式SRAM中并执行代码相关联   仍然是活动的（JTAG / SWD和从嵌入式SRAM启动），这可以用来   禁用读保护。当读保护选项字节更改为a时   memory-unprotect value，执行批量擦除。

从嵌入式SRAM启动时，Flash存储器通过代码访问   并且不允许使用DMA1和DMA2读取数据。

通过使用JTAG，SWV（串行线查看器），SWD读取数据进行闪存访问   （串行线调试），不允许ETM和边界扫描


<强>解除保护

禁用嵌入式SRAM的读保护：


删除整个选项字节区域。结果，读保护代码（RDP）将是   0xFF的。在此阶段，仍然启用了读保护。

编程正确的RDP代码0x00A5以取消保护内存。这个操作首先   强制主闪存的质量擦除。

重置设备（POR重置）以重新加载选项字节（和新的RDP代码），   禁用读保护。


注意：可以使用引导加载程序禁用读保护（在这种情况下只能进行系统复位）   必须重新加载选项字节）。有关更多详细信息，请参阅AN2606。

芯片上还有写保护，请参阅文档。

Answer 2

我发布这个问题已经有一段时间了，因为它有一些新的活动，我会发布我找到的答案。

在对控制器进行编程之后，转到ST-Link Utility的Option Bytes部分并启用Read Out保护。请记住，启用后，核心将停止工作，您应该自己重置微控制器。要重新编程，您应该禁用读出保护，实用程序将自动执行此操作。

Answer 3

您必须先解锁闪光灯。应该在STM32 StdPeriph库中调用。我的代码看起来像这样：

/* Read protect the flash.  NEVER EVER set this to level 2.  You can't
 * write to the chip ever again after that. */
FLASH_OB_Unlock();
FLASH_OB_RDPConfig( OB_RDP_Level_1 );
if (FLASH_OB_Launch() != FLASH_COMPLETE)
{
    err_printf("Error enabling RDP\n");
}
FLASH_OB_Lock();

如何保护stm32f10x的读取闪存

3 个答案: