如何在不擦除其他页面的情况下擦除m25p40闪存的单页？

Question

我正在使用带有jn5148 MCU的m25p40闪存。在这个闪存的数据表中，写道：

擦除功能：

• 扇区擦除：0.6 s内的512Kb（TYP）
• 批量擦除：4.5秒内的4Mb（TYP）

我在覆盖存储在一页扇区中的数据时遇到问题。那么，如何擦除一个页面，并在该页面中写入新数据？是否有任何解决方案可以擦除一页扇区，而不删除同一扇区的其他页面？

Answer 1

根据the datasheet：

  

使用PAGE一次可以将存储器编程为1到256个字节   PROGRAM命令。它被组织为8个扇区，每个扇区包含256个扇区   页面。每页的宽度为256字节。

虽然我不知道它是否真的有效，但我无法测试它，但我也发现有人已经这样做with an avr µC，如果你有一个示例函数write(address, word)不想阅读页面程序序列（数据表第27页）并编写自己的程序。

Answer 2

以下是m24p40

文档中引用的扇区擦除程序

  

SECTOR ERASE命令将所选位内的所有位设置为1（FFh）   部门。在接受SECTOR ERASE命令之前，写一个WRITE   必须先前已执行ENABLE命令。写完之后   ENABLE命令已解码，器件设置写使能   锁存（WEL）位。通过驱动芯片进入SECTOR ERASE命令   选择（S＃）LOW，然后是命令代码和三个地址字节   关于串行数据输入（DQ0）。该部门内的任何地址都是有效的   SECTOR ERASE命令的地址。 S＃必须被驱动为低电平   整个序列的持续时间。在＃之后必须将S＃驱动为高电平   最后一个地址字节的第8位已被锁存。否则为   不执行SECTOR ERASE命令。一旦S＃被驱动为高电平，   启动自定时SECTOR ERASE循环;周期的持续时间   是SE。当SECTOR ERASE循环正在进行时，状态   可以读取寄存器以检查正在写入的值（WIP）   位。在自定时SECTOR ERASE循环期间WIP位为1，并且是   循环完成时为0。在某些未指定的时间之前   循环完成后，WEL位复位。 SECTOR ERASE命令是   如果它适用于硬件或软件的扇区，则不执行   保护。

Answer 3

您无法重写一页。你必须至少重写一个部门。 因此，如果您想要更改a.k.a在选择的扇区中的任何页面中重写至少一个字节，您可以执行以下操作：

1. 将所有扇区读入RAM。
2. 删除此部门。
3. 在RAM中更改所需数据。
4. 将更改的数据写回闪存扇区。

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