如何使用实例化偏移量

Question

假设我有2个不同实例组的实例数据的单个缓冲区（即，我想在单独的绘制调用中绘制它们，因为它们使用不同的纹理）。如何设置偏移量来完成此操作？ IASetVertexBuffers和DrawIndexedInstanced都有偏移参数，我不清楚需要使用哪些参数。此外，如果偏移值是以字节为单位，DrawIndexedInstanced并不完全清楚。

Answer 1

偏移

这些偏移独立。您可以在ID3D11DeviceContext::IASetVertexBuffers或ID3D11DeviceContext::DrawIndexedInstanced或两者中进行偏移（然后它们将合并）。

• ID3D11DeviceContext::IASetVertexBuffers接受以字节为单位的偏移 ：

   bindedData = (uint8_t*)data + sizeof(uint8_t) * offset
  

• ID3D11DeviceContext::DrawIndexedInstanced接受元素（索引，顶点，实例）中的所有偏移。它们只是添加到指数的值。顶点和实例偏移独立工作。索引偏移也会偏移顶点和实例（显然）：

   index = indexBuffer[i] + StartIndexLocation
   indexVert = index + BaseVertexLocation
   indexInst = index + StartInstanceLocation
  

我更喜欢在绘制调用中进行抵消：

• 不需要字节（指针）算术 - 错误的机会更少
• 如果只改变偏移量，则无需重新绑定缓冲区 - 更少可见的状态更改（并且希望也是不可见的）

替代解决方案

您可以合并纹理资源并在一次绘制调用中绘制所有内容，而不是将渲染分割为两个绘制调用：

• 两个纹理在相同的绘制调用中绑定，在着色器中分支（if / else），取决于通过常量缓冲区传递的整数（最简单的解决方案）
• texture array（如果目标硬件支持）
• 纹理图集（需要一些编码，但总是很有用）

希望它有所帮助！