Question

我在ARM NEON汇编代码中使用C / C ++变量时遇到了问题：

__asm__ __volatile()

我已经了解了以下可能性，它们应该将值从ARM移动到NEON寄存器。以下每种可能性都会在我的Android应用程序中导致致命信号：

VDUP.32 d0, %[variable]
VMOV.32 d0[0], %[variable]

输入参数列表包括：

[variable] "r" (variable)

我取得成功的唯一方法是使用负载：

int variable = 0;
int *address = &variable;
....
VLD1.32 d0[0], [%[address]]
: [address] "+r" (address)

但是如果我不需要修改变量，我认为负载不是性能最好的，我还需要了解如何将数据从ARM移动到NEON寄存器以用于其他目的。

编辑：根据要求添加了示例，可能性1和2都会导致＆＃34;致命信号＆＃34;。我知道在这个例子中，NEON程序集只需要修改＆＃34; array [4]＆＃34;的前2个元素。

int c = 10;
int *array4;
array4 = new int[64];
for(int i = 0; i < 64; i++){
    array4[i] = 100*i;
}
__asm__ __volatile ("VLD1.32 d0, [%[array4]] \n\t"
    "VMOV.32 d1[0], %[c] \n\t" //this is possibility 1
    "VDUP.32 d2, %[c] \n\t" //this is possibility 2
    "VMUL.S32 d0, d0, d2 \n\t"
    "VST1.32 d0, [%[output_array1]] \n\t"
    : [output_array1] "=r" (output_array1)
    : [c] "r" (c), [array4] "r" (array4)
    : "d0", "d1", "d2");

Answer 1

问题是由输出列表引起的。在输入寄存器中移动输出数组地址可以解决崩溃问题。

int c = 10;
int *array4;
array4 = new int[64];
for(int i = 0; i < 64; i++){
    array4[i] = 100*i;
}
__asm__ __volatile ("VLD1.32 d0, [%[array4]] \n\t"
    "VMOV.32 d1[0], %[c] \n\t" //this is possibility 1
    "VDUP.32 d2, %[c] \n\t" //this is possibility 2
    "VMUL.S32 d0, d0, d2 \n\t"
    "VST1.32 d0, [%[output_array1]] \n\t"
    :
    : [c] "r" (c), [array4] "r" (array4), [output_array1] "r" (output_array1)
    : "d0", "d1", "d2");

在ARM Neon程序集中使用C变量

1 个答案: