高内存无法以保护模式写入

Question

我一直在跟踪Bochs的BrokenThorn OSDev教程并且运行良好（vga-info采集，MemoryDump由我在实模式下编写，并且还有一些320 * 200 * 256的图形）。 但是在Demo4中进入保护模式（PM）后（内核加载到0x100000（1Mb））我注意到我无法写入高内存（例如0xD0000000） 我的MemDump工作正常，因为我用0x7c00测试了它，我的bootloader被加载了，bootloader的消息用MemDump打印，我还写了几个0x66到7c00。 <0x1000的内核代码也被正确转储。

这是从0xD0000000（Intel-syntax，Nasm）写入0x66的代码：

     mov edi, 0xD0000000        
     mov BYTE [edi], 0x66  (.Next; this is at the beginning of the line)
     inc edi
     cmp edi, 0xD0000010
     jnz .Next

我在ClrScr32和MemDump从0xB8000打印后立即将它添加到Stage3.asm

MemDump：

    mov esi, 0xD0000000
    mov ecx, 24     ; prints 24 lines (16 bytes per line)
    call MemDump

始终FF从0xD0000000显示，因此我无法将数据写入高内存。 GDT设置正确（我没有改变BrokenThorn给出的值），r / w位为1，段限制是粒度位设置的最大值。

如果您有任何人遇到此问题和/或有解决方案，请不要犹豫与我分享。

祝你好运， 抢劫

（Demo4可以在：教程11，准备内核，第2部分） http://www.brokenthorn.com/Resources/OSDevIndex.html