重写代码是否有意义，以便通过纹理缓存加载数据（假设我不需要过滤和其他纹理单元选项）或它是否相同？如何通过L1缓存和一些槽式纹理单元加载一些数据？我有一个代码，我可以使用这样的策略，但它有意义吗？
为了说清楚，我的意思是，“FERMI上的纹理缓存是一个与L1缓存硬件不同的硬件” - 换句话说，我可以巧妙地为我的代码获得总共L1 +纹理缓存量吗？
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它是分开的。纹理加载不通过L1。对于非纹理应用程序（即，您没有使用插值和钳位等功能），纹理的主要好处是它允许您有选择地添加大量可以缓存的全局内存（假设位置和重用）而不会中断L1中发生了什么。对于小型数据集，纹理化不会提供比L1更好的性能。对于存在一些局部性和重用的大型数据集，但是纹理高速缓存覆盖的区域的负载可能会破坏L1（根据高速缓存配置，可能在Fermi上每SM小到16KB），纹理缓存可以为整个应用程序提供一个好处。对于用户而言，使用纹理的速度并不像在L1中缓存的情况那么快，但是比未缓存的负载快得多，或者分散负载会使L1崩溃的情况并不少见。很大程度上取决于所涉及的数据的访问模式和大小。纹理缓存的大小大约为每个SM 8KB。您可以缓存更大的区域，但高水平的重用和位置肯定会提高纹理缓存的性能。另请注意，纹理内存是只读的。您可能对此webinar感兴趣。