Question

我使用的是STM32L073RZ（Nucleo 64板）。

我想在应用程序编程（IAP）中跳转到系统内存。

我的代码适用于STM32L073微控制器的版本B，但在最新版本rev Z上失败。

我阅读勘误表，没有给出详细信息，只是根据BFB2位将双引导机制固定到系统内存中的限制。

系统内存是否不再支持IAP跳转执行其代码（通过USB或UART闪存固件而不使用BOOT0引脚）？

该函数是我的主程序的第一行，它测试代码是否必须跳转到booloader：

void jumpBootLoader(void)
{
    /* to do jump? */
    if ( *((unsigned long *)0x20003FF0) == 0xDEADBEEF  ) 
    {
        /* erase the label */
        *((unsigned long *)0x20003FF0) = 0xCAFEFEED;

        /* set stack pointer to the bootloader start address */
        __set_MSP(*((uint32_t*)(0x1FF00000)));

        /* system memory mapped at 0x00000000 */
        __HAL_SYSCFG_REMAPMEMORY_SYSTEMFLASH();

        /* jump to @bootloader + 4 */
        ((void (*)(void))(*((uint32_t*)(0x1FF00004))))();
    }
}

按下BP1按钮后，我会调用这两行，在重置μC后触发跳转操作：

*((unsigned long *)0x20003FF0) = 0xDEADBEEF;
NVIC_SystemReset();

我使用的是HSI 16Mhz时钟源。

Answer 1

感谢您的帮助。我有我的答案！

v4.0引导加载程序（初始版本）未实现双库机制，但v4.1支持此功能。

软件可以跳转到引导程序，但它会执行双引导机制。因此，引导加载程序返回到bank1（如果代码“有效”，则返回bank2）。

今天，我无法绕过双库机制来使用我的配置执行引导加载程序： boot0引脚复位且保护级别为0（参见参考手册中的“表11.引脚和BFB2位配置”）。

Answer 2

解决方案是跳转两次到系统内存。首先跳转到引导加载程序启动以初始化RAM中的数据，直到程序计数器将由Dualbank管理返回到Flash。第二跳：跳转到Dualbank绕过的地址

使用方法：用户首先在Flash中初始化变量“Data_Address”（必须是偏移Flash扇区对齐的地址），以区分第一/第二跳。

EraseInitStruct.TypeErase   = FLASH_TYPEERASE_PAGES;
EraseInitStruct.PageAddress = Data_Address;
EraseInitStruct.NbPages     = 1;


    First_jump = *(__IO uint32_t *)(Data_Address);

    if (First_jump == 0) {  
        HAL_FLASH_Unlock();
        HAL_FLASH_Program(FLASH_TYPEPROGRAM_WORD, Data_Address, 0xAAAAAAAA);
        HAL_FLASH_Lock();

        /* Reinitialize the Stack pointer and jump to application address */ 
        JumpAddress = *(__IO uint32_t *)(0x1FF00004);
    }
    if (First_jump != 0) {  
        HAL_FLASH_Unlock();
        HAL_FLASHEx_Erase(&EraseInitStruct, &PAGEError);
        HAL_FLASH_Lock();

        /* Reinitialize the Stack pointer and jump to application address */ 
        JumpAddress =  (0x1FF00369);
    }

    Jump_To_Application = (pFunction) JumpAddress;
    __set_MSP(*(__IO uint32_t *)(0x1FF00000));
    Jump_To_Application();

Answer 3

致电__HAL_SYSCFG_REMAPMEMORY_SYSTEMFLASH()时，您的计划柜台在哪里？

当您执行同一区域时重新映射内存区域将会很糟糕！您可能需要将此代码重新定位到SRAM中，或者在将PC设置为固定FLASH存储器映射（0x0800xxxx）的情况下执行此代码。

Answer 4

首先要注意的是：您使用0x1FF0 0000作为存储SP的地址，这是正确的。然后使用0x1 FF00 0004作为加载函数指针的地址。这是不正确的 - 一个零太多了。

请注意，如果您还使用MSP作为堆栈指针（您最有可能），则使用__set_MSP()通常不是一个好主意。最近对此功能的定义，标志着＆＃34; sp＆＃34;作为破坏寄存器，会使您的更改几乎立即恢复。顺便说一句，今天我做的和你做的完全一样，我发现了这个问题。在汇编列表中，您将看到SP在msr msp, ...指令之前保存到其他寄存器中，并在此之后立即恢复。

最后我手动写了（STM32F4，所以不同的地址）：

constexpr uint32_t systemMemoryBase {0x1fff0000};

asm volatile
(
        "   msr     msp, %[sp]      \n"
        "   bx      %[pc]           \n"

        ::  [sp] "r" (*reinterpret_cast<const uint32_t*>(systemMemoryBase)),
            [pc] "r" (*reinterpret_cast<const uint32_t*>(systemMemoryBase + 4))
);

BTW - 您不需要设置内存重映射以使引导加载程序正常工作。

STM32L073RZ（rev Z）IAP跳转到引导加载程序（系统内存）

4 个答案: